TMS-2000提供可视化的数据采集程序，便于用户进行直观一致的测量、分析和数据输出。
- TMS-2000
晶圆厚度测量系统
TMS-2000以非接触方式测量晶圆的的厚度分布，可以测量精度为1nm的平整度。 当在涉及极端温度变化和振动的不稳定环境中使用时，传统的晶圆厚度映射技术难以解决精度问题，而TMS-2000具有高的环境稳定性。由于其高速测量能力和紧凑的尺寸，TMS-2000可用于涉及在线检测的各种工业领域。
特征
TMS-2000以非接触方式测量晶圆的的厚度分布，可以测量精度为1nm的平整度。 当在涉及极端温度变化和振动的不稳定环境中使用时，传统的晶圆厚度映射技术难以解决精度问题，而TMS-2000具有高的环境稳定性。由于其高速测量能力和紧凑的尺寸，TMS-2000可用于涉及在线检测的各种工业领域。
特点
1. 高精度
基于干涉探测技术的高精度测量（1nm重复性）
2. 支持各种测量参数
分析整片平整度（GFLR, GFLD, GBIR），局部平整度（SFQR, SFQD, SBIR）、边缘平整度(ESFQR)
3. 高耐环境性
高耐环境性*专利申请中
4. 紧凑的尺寸
体积小、省空間
5. 高速
螺旋扫描(高速, 高密度)
测量方法
TMS-2000提供多样的平整度参数，可用于统计分析，其规格符合SEMI国际标准，且能以业界通用格式输出。
TMS-2000提供基于给定模型的高阶残差的分析，以归一化Zernike系数形式输出量化的表面缺陷检测结果。
可测量上至毫米级翘曲晶圆的平面内形貌。可提供针对受重力影响误差的矫正。晶圆形貌由同时测量其上、下表面信号获得。
应用案例
相较于其他非接触式晶圆测厚方法，TMS-2000的高灵敏度使其能同时测量某些强吸收晶圆的前后表面，例如重掺型硅。
TMS-2000用于研磨等工艺中测量晶圆厚度的一致性。
TMS-2000采用点扫描成像，对比基于相机成像的方式，不易受到串扰噪声影响，因而对测量粗糙表面晶圆(4到12英寸)有更高的灵敏度。
TMS-2000通过对偏振效应的补偿，加强对低反射晶圆表面测量的信噪比。
常见的低反射晶圆有碳化硅(SiC)，用于功率半导体生产；铌酸锂(LiNbO3)，常用电子通讯设备。
TMS-2000能同时测量多层结构，厚度可从μm级到数百μm级不等。
应用场景包括绝缘体上硅(SOI)和微机电系统(MEMS)的生产制造。
TMS-2000可用于测量各类薄膜厚度，厚度最薄可低至4 μm ，精度可达1nm。
适用于晶圆背面研磨工艺和表面声波元件制造等。
客制化
我们提供可定制的晶圆测量硬件制造和软件设计服务，及对应的一体化系统和制造工具。
我们提供自动化检测和可控微环境的设计支持。
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