TMS-2000には専用の計測・解析アプリケーションが付属します。直観的な操作で計測、解析、データ出力まで一貫して実行できます。
製品紹介
TMS-2000はウエハの厚み分布を非接触で計測し、平坦度を1 nmの精度で計測可能です。従来装置では温度変動や振動などの環境変化がある場合には精度が低下してしまうため、使用環境やアプリケーションが限られていましたが、本製品はそのような環境変化にも高い耐性を有し、且つ小型、高速、低価格を実現しております。インライン検査を含め、高スループットを活かした幅広いアプリケーションへの導入が可能です。
特徴
1. 高精度
光ヘテロダイン干渉方式による高精度計測 (くり返し測定精度 ≤ 1 nm)
2. 高い耐環境性
高い耐環境性 (santec独自の特許出願技術を採用)
3. 高速
高速と高密度計測を両立したスパイラルスキャン方式を採用
4. 小型
小型で配置場所を選ばない省スペース設計
5. 様々な計測パラメータに対応
グローバル平坦度（GFLR, GFLD, GBIR）、サイト平坦度（SFQR, SFQD, SBIR）、エッジ平坦度（ESFQR）解析が可能
計測機能
SEMI規格に準拠した平坦度解析（グローバル、サイト、エッジ）が可能です。グラフィカルな統計処理結果の表示や出力も可能です。
ゼルニケ多項式近似を用いた解析も可能で、面内サグや表面スクラッチ傷の検査に活用できます。
mmオーダで反ったウエハでも高密度に面内のプロファイル計測が可能です。また重力補正により真のウエハ形状が得られます。
対応可能なサンプル
ヘテロダイン干渉方式を用いた高感度計測により、内部の光吸収の大きいウエハでも厚さ計測が可能です。
従来の非接触型厚さセンサでは困難であった高濃度ドープのSiウエハでもTMS-2000では測定可能です。
粗研削段階においても厚さ分布計測が可能です。
4~12インチサイズのウエハについて表裏面に粗面が含まれていても厚さ分布計測が可能です。
偏波の影響がある材料や反射率が低い透明サンプルもTMS-2000の優れた検出感度により計測可能です。
パワーエレクトロニクス材料として注目されるSiCや通信用LiNb03など幅広い材料に活用いただけます。
数µmから数100 µmの厚さをもつ各層を同時に厚さマッピング測定します。
一般的なSOIウエハやMEMSデバイスの製造工程においてプロセスモニタとして活用できます。
最小4µmまでの厚さ計測をナノメートル級のくり返し精度で計測します。
薄膜化が進むバックグラインディングやSAWデバイス等に活用できます。
カスタム対応
ユーザ独自の統合システムおよび生産設備へのセンサー組み込みやソフトウェアのカスタマイズも可能です。
ロボット搬送機やmini environmentsとの設計統合をサポートします。
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